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5G芯片项目
专区:中国港澳
价格:500万元
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随着5G时代的来临,5g芯片的市场需求大大增加,其对芯片核心半导体材料的研发已成为研发创新的新方向。八十年代开始,以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料的出现,高频、高功率特性突出,开辟了人类资源和能源节约型社会的新发展,催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业,氮化镓和碳化硅器件将成为推动整个电力电子、光电子和微波射频三大领域效率提升和技术升级的关键动力之一。本项目正是研发氮化镓作为微波射频的新型半导体材料,项目技术产品具有击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点,并自主知识产权设计领先的GaN器件结构与独特工艺制程。目前项目已拥有4项中国发明专利和3项实用新型专利,项目与中心、诺基亚推进合作,推出5G GaN基站产品,预计将带来巨大收益。